25,087.75
+45.04
(+0.18%)
25,090
+46
(+0.18%)
高水2
8,362.60
+22.97
(+0.28%)
4,438.21
+14.92
(+0.34%)
2,492.14億
3,952.13
+2.22
(+0.056%)
4,544.59
+5.02
(+0.111%)
13,723.74
-6.28
(-0.046%)
2,672.19
+7.50
(+0.28%)
85,464.0000
-1,156.0100
(-1.335%)
安森美半導體
  • 71.720
  • +1.740
  • (+2.486%)
  • 最高
  • 72.045
  • 最低
  • 68.170
  • 成交股數
  • 1.23千萬
  • 成交金額
  • 8.81億
  • 前收市
  • 69.980
  • 開市
  • 71.000
  • 買入
  • 69.840
  • 賣出
  • 74.390
  • 市值
  • 272.45億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 89950
  • 每宗成交金額
  • 9,792
  • 波幅
  • 15.851%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 45.74/15.69
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • 2.209%
  • 風險率
  • 22.610
  • 振幅率
  • 3.301%
  • 啤打系數
  • 2.935

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 21/09/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

01/11/2025 02:35

美股動向 | 安森美推出垂直氮化鎵半導體,拓AI及電動車高耗能應用

  《經濟通通訊社31日專訊》智能電源和傳感技術企業安森美(US.ON)宣布,推出垂直氮化鎵功率半導體,為人工智能數據中心、電動汽車及可再生能源等高耗能應用領域,在功率密度、效率和耐用性方面樹立全新行業標準。

 

  這項突破性的技術建基於創新的「氮化鎵上氮化鎵」架構,其核心特點是讓電流垂直流過化合物半導體晶片,而非像傳統技術般在表面橫向流動。這種垂直導電設計,使新的vGaN功率半導體能夠在單一晶片中處理高達1200伏特甚至更高的電壓,並以極高頻率進行開關,從而大幅提升效能。​(kk)

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