26,111.84
+432.06
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低水383
8,805.60
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75,773.4500
-569.3300
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美光科技
  • 518.460
  • +14.170
  • (+2.810%)
  • 最高
  • 531.020
  • 最低
  • 508.800
  • 成交股數
  • 3.57千萬
  • 成交金額
  • 148.39億
  • 前收市
  • 504.290
  • 開市
  • 526.000
  • 盤後
  • 518.030
  • -0.430
  • (-0.083%)
  • 最高
  • 524.479
  • 最低
  • 508.810
  • 成交股數
  • 37.57萬
  • 成交金額
  • 3.28億
  • 買入
  • 518.000
  • 賣出
  • 518.400
  • 市值
  • 5,687.05億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 418503
  • 每宗成交金額
  • 35,458
  • 波幅
  • 11.946%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 23.80/5.06
  • 周息率/預期
  • 0.10%/0.11%
  • 10日股價變動
  • 13.930%
  • 風險率
  • 126.558
  • 振幅率
  • 6.078%
  • 啤打系數
  • 1.965

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 29/04/2026 16:35:30
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

25/03/2026 23:11

美股動向|美光科技年內飆四成,Needham上調目標價至500美元

  《經濟通通訊社25日專訊》美光科技(US.MU)股價年內累升近40%。Needham最新將該股目標價由450美元上調至500美元,維持「買入」評級,潛在升幅達30%。

 

  美光2026財年第二季業績顯示,收入按年急升196%至239億美元,非GAAP每股盈利飆682%至15.3美元,毛利率及營運利潤率分別創75%與69%新高。公司預測第三季收入將達327.5億至342.5億美元,每股盈利介乎18.75至19.55美元。

 

  美光已開始量產用於英偉達(US.NVDA)Vera Rubin系統的HBM4記憶體,2026年產能全數獲客戶預訂。公司正開發HBM4E產品,預計2027年擴大產能。目前HBM產能佔DRAM總產能比重持續提升,加劇記憶體供應緊張。

 

  第二季DRAM及NAND價格分別按季升逾60%及70%,管理層預期供需失衡將持續至2026年後。公司僅能滿足50%至三分之二客戶需求,已簽訂首份五年期戰略供應協議,打破傳統一年合約模式。

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