東京--(美國商業資訊)--全球記憶體解決方案領導者Kioxia Corporation今天宣布，其產品已被日本國家研究開發機構——日本新能源產業技術綜合開發機構(NEDO)採用，用於其關於開發創新記憶體製造技術的開創性提案，以增強後5G資通訊系統基礎設施。
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在後5G資通訊時代，AI預期將產生前所未見的資料量。這種激增很可能將導致資料中心資料處理需求的迅速攀升和功耗的增加。為了解決這個問題，下一代記憶體必須能夠透過高效能處理器促進快速資料傳輸，同時增加容量並降低功耗。
做為這一開創性專案的一部分，Kioxia將專注於為最近推出的Compute Express Link™ (CXL™)介面標準研發記憶體。其目標是開發相較DRAM功耗更低、位元密度更高，相較快閃記憶體讀取速度更快的記憶體。這不僅會提高記憶體利用效率，還有助於節能。
植基於我們的尖端3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™的成功，Kioxia將繼續致力於推進新興記憶體的研發。公司力求滿足未來運算和儲存系統對更大容量、更優效能和更高價值的半導體記憶體與日俱增的需求。
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關於 Kioxia
Kioxia 是全球記憶體解決方案領域的領軍企業，致力於快閃記憶體和固態硬碟 (SSD) 的開發、生產和銷售。其前身是 Toshiba Memory，於 2017 年 4 月從 Toshiba Corporation（1987 年發明了 NAND 快閃記憶體）剝離出來。Kioxia 致力於憑藉記憶體技術促進世界發展，該公司提供各種產品、服務和系統，為客戶提供多樣化選擇，並基於記憶體技術創造價值，推動社會的發展。Kioxia 創新的 3D 快閃記憶體技術 BiCS FLASH™ 正在塑造儲存技術在高密度應用領域（包括高級智慧型手機、PC、SSD、汽車和資料中心）的未來。
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Kota Yamaji
公共關係
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com
按位元密度和讀取時間劃分的記憶體類別（圖片：美國商業資訊）
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