- 三款新元件提升工業裝置效率與功率密度 -
日本川崎--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出三款650V碳化矽(SiC)金氧半場效電晶體(MOSFET)，搭載最新[1] 第三代SiC MOSFET晶片，並採用表面黏著TOLL封裝。這些新元件適用於工業裝置，如開關式電源和用於太陽能光電發電機的功率調節器。「TW027U65C」、「TW048U65C」和「TW083U65C」這三款MOSFET即日起開始批量出貨。
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新產品是Toshiba第三代SiC MOSFET中採用通用表面黏著TOLL封裝的型號，相較TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝，元件體積減少80%以上，裝置功率密度也得以改善。
TOLL封裝還具有比通孔封裝更低的寄生阻抗[2]，有助於降低開關損耗。其為四端子[3]封裝，可將開爾文連接用作閘極驅動的訊號源端子。這可以減少封裝內的源極引線電感的影響，實現高速開關效能；以TW048U65C為例，其開通損耗和關斷損耗分別比現有Toshiba產品[5]降低約55%和25%[4]，有助於降低裝置功率損耗。
Toshiba將繼續擴充產品陣容，為提升裝置效率和增加功率容量貢獻力量。
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第三代SiC MOSFET封裝陣容 |
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類型 |
封裝 |
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通孔型 |
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表面黏著型 |
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註：
[1] 截至2025年8月。
[2] 電阻、電感等。
[3] 具有靠近FET晶片連接的訊號源端子的產品。
[4] 截至2025年8月，Toshiba測量值。詳情請參見Toshiba網站發表版本中的圖1。
[5] 採用無開爾文連接TO-247封裝的具有同等電壓和導通電阻的650V第三代SiC MOSFET。
應用領域
- 伺服器、資料中心、通訊裝置等的開關式電源
- 電動汽車充電站
- 太陽能光電逆變器
- 不斷電系統
產品特點
- 表面黏著TOLL封裝：支援裝置小型化與自動化組裝。開關損耗低。
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Toshiba第三代SiC MOSFET：
- 最佳化漂移電阻與溝道電阻比，實現漏源導通電阻良好的溫度相依性。
- 低漏源導通電阻×柵漏電荷積
- 低二極體正向電壓：VDSF=-1.35V（典型值）(VGS=-5V)
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主要規格 |
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（除非另有說明，否則Ta=25℃） |
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零件編號 |
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封裝 |
名稱 |
TOLL |
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尺寸(mm) |
典型值 |
9.9×11.68×2.3 |
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絕對 |
漏源電壓 VDSS (V) |
650 |
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柵源電壓 VGSS (V) |
-10至25 |
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漏極電流（直流）ID (A) |
Tc=25°C |
57 |
39 |
28 |
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電氣 |
漏源導通電阻 RDS(ON) (mΩ) |
VGS=18V |
典型值 |
27 |
48 |
83 |
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閘極閾值電壓 Vth (V) |
VDS=10V |
3.0至5.0 |
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總閘極電荷 Qg (nC) |
VGS=18V |
典型值 |
65 |
41 |
28 |
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柵漏電荷 Qgd (nC) |
VGS=18V |
典型值 |
10 |
6.2 |
3.9 |
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輸入電容 Ciss (pF) |
VDS=400V |
典型值 |
2288 |
1362 |
873 |
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二極體正向電壓 VDSF (V) |
VGS=-5V |
典型值 |
-1.35 |
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樣品檢查及供應情況 |
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TW027U65C
TW048U65C
TW083U65C
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領先供應商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和業務合作夥伴提供卓越的分立半導體、系統LSI和HDD產品。
公司在全球的19,400名員工致力於充分提高產品價值，並促進與客戶的密切合作，共同創造價值和開拓新市場。公司期待為世界各地的人們建設更美好的未來並貢獻力量。
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Toshiba：TOLL封裝650V第三代SiC MOSFET。
