17/02/2026
《經濟通通訊社17日專訊》美光科技(US.MU)未來二十多年擬在美國本土投放累計約2000億美元資本開支，目標是在2030年代，讓約四成DRAM產能回流美國，並全力追趕高帶寬記憶體浪潮。
美光正興建名為ID1的先進DRAM晶圓廠，首期投資約150億美元，潔淨室最終規模將達60萬平方呎，接近全球領先晶圓廠水準。按最新時間表，該廠將於本年代後期陸續投產，未來配合第二座晶圓廠，組成美光在美國西北的DRAM與HBM生產樞紐。
在美國以外，美光亦把AI記憶體產能布局延伸至日本。根據日經與產業研究機構報道，美光將於廣島現有基地內投資約1.5萬億日圓(約96億美元)興建新廠，專門生產新一代HBM，用於英偉達等企業的AI加速器平台。工程預計於2026年5月動工，並於2028年前後開始出貨，部分資本開支將獲日本經產省提供最高達5000億日圓補貼，顯示日本將高階記憶體列為國家戰略產業之一。
與此同時，美光在台灣等地既有基地仍主力供應先進HBM產品，短期內將與美日新廠形成多據點分工，平衡地緣風險與供應彈性。(kk)
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